半导体量子点中的双激子发光

学术综述

作者：

黄鹏2 张用友1 钟海政*2

作者单位：

1. 北京理工大学物理学院纳米光子学与超精密光电系统北京市重点实验室2. 北京理工大学材料学院低维量子结构与器件工信部重点实验室

摘要：

双激子发光是半导体材料在高激发强度下形成两个激子后复合发光的一种物理过程。相较于块体材料，量子点体积小、载流子受限、能级分立，从而具有独特的双激子发光特性，具体表现为双激子结合能大，级联发射中的光子对是极化反对称的，激子对的俄歇复合效应强。从双激子发光研究的发展历程出发，重点介绍了量子点双激子发光的基本原理、光谱特性，特别是量子效应对量子纠缠和光增益的影响。讨论了量子点双激子发光在纠缠光源、量子点激光器等方面的应用潜力和目前所面临的挑战。

关键词：

量子光学量子点双激子纠缠光子源俄歇复合光增益

刊期：

2023，1（50）

所属栏目：

综述

基金资助：

北京市自然科学基金(Z210018)

分类号：

TN244

DOI：

10.3788/CJL221240

页数：

页码：

23-34

来源期刊

中国激光